DMN10H170SK3-13 دیتاشیت

DMN10H170SK3-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN10H170SK3-13
حجم فایل 80.949 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت DMN10H170SK3-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN10H170SK3-13
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 42W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1167pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@10V,5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه